憶阻器 MEMRISTOR

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憶阻器（memristor），又名記憶電阻，是一種被動電子元件。憶阻器被認為是電路的第四種基本元件，僅次於電阻器、電容器及電感元件。

憶阻器可以在關掉電源後，仍能「記憶」通過的電荷。兩組的憶阻器更能產生與電晶體相同的功能，但更為細小。最初於1971年，柏克萊加州大學的蔡少堂預測憶阻器的出現[2]，之後從西元兩千年始，研究人員在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結構的薄膜中發現了電場作用下的電阻變化，並應用到了下一代非揮發性存儲器-阻抗存儲器(RRAM)中。2008年4月，惠普公司公佈了基於TiO2的RRAM器件，並首先將RRAM和憶阻器聯繫起來

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